专家称长江存储短期内难成全球闪存霸主

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最新消息显示，中国领先的NAND芯片制造商长江存储正积极推进产能建设，有望在2027年实现全面量产。然而，韩国半导体领域的专家对此持保留态度。

知名半导体分析机构TechInsights的副总裁崔正东指出，尽管长江存储在扩产速度上表现突出，但其与头部企业的技术差距依然明显。目前，长江存储的月产量约为16万至17万片晶圆，武汉三厂预计于年底投入使用，并计划在未来几年内将产能提升至30万至40万片晶圆。

不过，技术层面才是关键所在。三星电子已经实现420层V10闪存的规模化生产，SK海力士也计划年内推出375层产品，相比之下，长江存储目前量产的267层3D NAND在堆叠技术上仍存在明显差距。值得注意的是，更高的堆叠层数能够显著提升单位晶圆的存储容量，这使得产能差距容易被技术差距所抵消。

在企业级SSD市场，长江存储的劣势更为显著。最新数据显示，该领域已占据全球NAND芯片出货量的48%，其中三星以25%的市场份额位居第一，SK海力士以22%紧随其后。虽然长江存储以14%的出货量位列全球前三，但其营收表现仅排在第五位，落后于美光和铠侠公司。

崔正东分析认为，长江存储虽然在产能和出货量方面有所突破，但在销售额、盈利能力以及企业级SSD市场占比等关键指标上仍有提升空间。要实现真正的行业领先地位，长江存储还面临着多重挑战，包括设备国产化、高端产品的良率提升，以及获得国际客户认证等关键问题。业界普遍认为，在未来一到两年内，长江存储难以实现从追赶者到引领者的角色转变。

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